CIC10J800NC jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CIC10J800NC, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CIC10J800NC przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CIC10J800NC z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CIC10J800NC
- Part Number:
- CIC10J800NC
- Producent:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- Opis:
- FERRITE BEAD 80 OHM 0603 1LN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 51115 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CIC10J800NC.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.79mm) |
| Seria: | CIC10 |
| oceny: | - |
| Package / Case: | 0603 (1608 Metric) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba linii: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 26 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancja @ Częstotliwość: | 80 Ohms @ 100MHz |
| Wysokość (max): | 0.037" (0.94mm) |
| Rodzaj filtra: | Power Line |
| Oporność DC (DCR) (maks.): | 10 mOhm |
| Karta Grubość (mm): | 2A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CIC10J800NC
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny