CGA4J3X8R1C105M125AE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CGA4J3X8R1C105M125AE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CGA4J3X8R1C105M125AE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CGA4J3X8R1C105M125AE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CGA4J3X8R1C105M125AE
- Part Number:
- CGA4J3X8R1C105M125AE
- Producent:
- TDK Corporation
- Opis:
- CAP CER 1UF 16V X8R 0805
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 58882 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CGA4J3X8R1C105M125AE.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Napięcie - znamionowe: | 16V |
| Tolerancja: | 1µF |
| Grubość (maks): | X8R |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) |
| Seria: | CGA |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Ripple Current - niska częstotliwość: | Automotive, Boardflex Sensitive |
| oceny: | AEC-Q200 |
| Polaryzacja: | 0805 (2012 Metric) |
| Inne nazwy: | CGA4J3X8R1C105MT0Y0S |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount, MLCC |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Numer części producenta: | CGA4J3X8R1C105M125AE |
| Lead Style: | 0.059" (1.50mm) |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | Soft Termination |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| Rozszerzony opis: | 1µF ±20% 16V Ceramic Capacitor X8R 0805 (2012 Metric) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±20% |
| Opis: | CAP CER 1UF 16V X8R 0805 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CGA4J3X8R1C105M125AE
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia