CFS30832.768KDZVB jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CFS30832.768KDZVB, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CFS30832.768KDZVB przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CFS30832.768KDZVB z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CFS30832.768KDZVB
- Part Number:
- CFS30832.768KDZVB
- Producent:
- Citizen Finedevice Co., LTD.
- Opis:
- CRYSTAL 32.7680KHZ 8PF T/H
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 22506 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CFS30832.768KDZVB.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | kHz Crystal (Tuning Fork) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.122" Dia x 0.323" L (3.10mm x 8.20mm) |
| Seria: | CFS308 |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Cylindrical Can, Radial |
| temperatura robocza: | -10°C ~ 60°C |
| Tryb pracy: | Fundamental |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| pojemność obciążenia: | 8pF |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.323" (8.20mm) |
| częstotliwość Tolerancja: | ±20ppm |
| Stabilność częstotliwości: | - |
| Częstotliwość: | 32.768kHz |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 35 kOhms |
| szczegółowy opis: | 32.768kHz ±20ppm Crystal 8pF 35 kOhms Cylindrical Can, Radial |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CFS30832.768KDZVB
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash