CF12JB1M10 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CF12JB1M10, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CF12JB1M10 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CF12JB1M10 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CF12JB1M10
- Part Number:
- CF12JB1M10
- Producent:
- Stackpole Electronics, Inc.
- Opis:
- RES 1.1M OHM 1/2W 5% AXIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 29387 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.CF12JB1M10.pdf2.CF12JB1M10.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Napięcie - Working: | 0.5W, 1/2W |
| Napięcie - Podział: | Axial |
| Grubość (maks): | 0/ -1500ppm/°C |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.106" Dia x 0.335" L (2.70mm x 8.50mm) |
| Seria: | CF |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Polaryzacja: | Axial |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 155°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | CF12JB1M10 |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | Flame Retardant Coating, Safety |
| FIFO: | 2 |
| Rozszerzony opis: | 1.1M Ohm ±5% 0.5W, 1/2W Through Hole Resistor Axial Flame Retardant Coating, Safety Carbon Film |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±5% |
| Opis: | RES 1.1M OHM 1/2W 5% AXIAL |
| Okładziny, Typ obudowy: | Carbon Film |
| Pasmo: | 1.1M |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CF12JB1M10
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash