CDR06BX474AMZSAB jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CDR06BX474AMZSAB, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CDR06BX474AMZSAB przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CDR06BX474AMZSAB z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CDR06BX474AMZSAB
- Part Number:
- CDR06BX474AMZSAB
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- CAP CER 0.47UF 50V BX 2225
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 29698 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CDR06BX474AMZSAB.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 50V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Grubość (maks): | 0.080" (2.03mm) |
| Współczynnik temperaturowy: | BX |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.225" L x 0.250" W (5.72mm x 6.35mm) |
| Seria: | Military, MIL-PRF-55681, CDR06 |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | 2225 (5763 Metric) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount, MLCC |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Style: | - |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | - |
| Współczynnik awaryjności: | S (0.001%) |
| szczegółowy opis: | 0.47µF ±20% 50V Ceramic Capacitor BX 2225 (5763 Metric) |
| Pojemność: | 0.47µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CDR06BX474AMZSAB
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny