CD4075BE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CD4075BE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CD4075BE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CD4075BE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CD4075BE
- Part Number:
- CD4075BE
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC GATE OR 3CH 3-INP 14DIP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 34269 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CD4075BE.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 18 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 14-PDIP |
| Seria: | 4000B |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Inne nazwy: | 296-2065-5 CD4075BE-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba wejść: | 3 |
| Liczba obwodów: | 3 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 90ns @ 15V, 50pF |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Logic Type: | OR Gate |
| Poziom Logic - Niska: | 1.5 V ~ 4 V |
| Poziom Logic - Wysoka: | 3.5 V ~ 11 V |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | OR Gate IC 3 Channel 14-PDIP |
| Obecny - spoczynkowy (Max): | 1µA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 3.4mA, 3.4mA |
| Podstawowy numer części: | 4075 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CD4075BE
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny