CD40174BNSR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CD40174BNSR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CD40174BNSR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CD40174BNSR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CD40174BNSR
- Part Number:
- CD40174BNSR
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC FF D-TYPE SNGL 6BIT 16SO
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 32838 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CD40174BNSR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 18 V |
| Rodzaj: | D-Type |
| Typ wyzwalania: | Positive Edge |
| Seria: | 4000B |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| Typ wyjścia: | Non-Inverted |
| Inne nazwy: | 296-29110-2 CD40174BNSR-ND CD40174BNSRE4 CD40174BNSRE4-ND CD40174BNSRG4 CD40174BNSRG4-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Ilość elementów: | 1 |
| Ilość bitów na element: | 6 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 100ns @ 15V, 50pF |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa: | 5pF |
| Funkcjonować: | Master Reset |
| Current - Spoczynkowy (Iq): | 4µA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 6.8mA, 6.8mA |
| Częstotliwość zegara: | 16MHz |
| Podstawowy numer części: | 40174 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CD40174BNSR
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny