CBTD16213DGG,112 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CBTD16213DGG,112, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CBTD16213DGG,112 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CBTD16213DGG,112 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CBTD16213DGG,112
- Part Number:
- CBTD16213DGG,112
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC FET BUS EXCH SWCH 56-TSSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 42457 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CBTD16213DGG,112.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Źródło napięcia zasilania: | Single Supply |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Rodzaj: | Bus FET Exchange Switch |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 56-TSSOP |
| Seria: | 74CBTD |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 56-TFSOP (0.240", 6.10mm Width) |
| Inne nazwy: | 935270443112 CBTD16213DGG CBTD16213DGG-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| niezależne obwody: | 1 |
| szczegółowy opis: | Bus FET Exchange Switch 12 x 2:2 56-TSSOP |
| High Output, Niska - Bieżąca: | - |
| Obwód: | 12 x 2:2 |
| Podstawowy numer części: | 74CBTD16213 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CBTD16213DGG,112
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe