CBC3225T3R3MR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CBC3225T3R3MR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CBC3225T3R3MR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CBC3225T3R3MR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CBC3225T3R3MR
- Part Number:
- CBC3225T3R3MR
- Producent:
- Taiyo Yuden
- Opis:
- FIXED IND 3.3UH 1.04A 123.5 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 38130 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.CBC3225T3R3MR.pdf2.CBC3225T3R3MR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±20% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 1210 (3225 Metric) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Zastawianie: | Unshielded |
| Seria: | CB, C Type |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 1210 (3225 Metric) |
| Inne nazwy: | 587-5828-2 CBC3225T3R3MR-ND LQ CB C3225T3R3MR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Ferrite |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 5 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 100kHz |
| Indukcyjność: | 3.3µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.106" (2.70mm) |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 160MHz |
| szczegółowy opis: | 3.3µH Unshielded Wirewound Inductor 1.04A 123.5 mOhm Max 1210 (3225 Metric) |
| DC Resistance (DCR): | 123.5 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 1.04A |
| Obecny - Nasycenie: | 2A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CBC3225T3R3MR
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash