CAT8900B125TBGT3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla CAT8900B125TBGT3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla CAT8900B125TBGT3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup CAT8900B125TBGT3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
CAT8900B125TBGT3
- Part Number:
- CAT8900B125TBGT3
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC VREF SERIES 1.25V SOT23
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 58824 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- CAT8900B125TBGT3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście (Min / Fixed): | 1.25V |
| Napięcie - Wejście: | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Tolerancja: | ±0.08% |
| Współczynnik temperaturowy: | 50ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-23-3 |
| Seria: | - |
| Typ referencyjny: | Series |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Typ wyjścia: | Fixed |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Hałas - od 10 Hz do 10 kHz: | - |
| Hałas - od 0,1 Hz do 10 Hz: | 50µVp-p |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Series Voltage Reference IC ±0.08% 10mA SOT-23-3 |
| Obecny - Dostawa: | 800nA |
| Obecny - Wyjście: | 10mA |
| Podstawowy numer części: | CAT8900 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do CAT8900B125TBGT3
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny