C4ATHBW5100A3LJ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla C4ATHBW5100A3LJ, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla C4ATHBW5100A3LJ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup C4ATHBW5100A3LJ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
C4ATHBW5100A3LJ
- Part Number:
- C4ATHBW5100A3LJ
- Producent:
- KEMET
- Opis:
- CAP FILM 10UF 5% 600VDC RAD 4LD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 46778 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.C4ATHBW5100A3LJ.pdf2.C4ATHBW5100A3LJ.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | 600V |
| Napięcie znamionowe - AC: | 350V |
| Tolerancja: | ±5% |
| Zakończenie: | PC Pins |
| Rozmiar / Wymiar: | 1.654" L x 1.181" W (42.00mm x 30.00mm) |
| Seria: | C4AT |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial - 4 Leads |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 45 Weeks |
| Główny odstęp: | 1.476" (37.50mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 1.772" (45.00mm) |
| cechy: | - |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 1.8 mOhms |
| Materiał dielektryka: | Polypropylene (PP), Metallized |
| szczegółowy opis: | 10µF Film Capacitor 350V 600V Polypropylene (PP), Metallized Radial - 4 Leads |
| Pojemność: | 10µF |
| Aplikacje: | DC Link, DC Filtering; High Frequency, Switching |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do C4ATHBW5100A3LJ
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe