C4AQCBU4330A1WJ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla C4AQCBU4330A1WJ, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla C4AQCBU4330A1WJ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup C4AQCBU4330A1WJ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
C4AQCBU4330A1WJ
- Part Number:
- C4AQCBU4330A1WJ
- Producent:
- KEMET
- Opis:
- CAP FILM 3.3UF 5% 650V RADIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 32309 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.C4AQCBU4330A1WJ.pdf2.C4AQCBU4330A1WJ.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | 650V |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Tolerancja: | ±5% |
| Zakończenie: | PC Pins |
| Rozmiar / Wymiar: | 1.240" L x 0.433" W (31.50mm x 11.00mm) |
| Seria: | C4AQ |
| oceny: | AEC-Q200 |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial |
| Inne nazwy: | 399-16953 4AQCBU4330A1WJ |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | Not Applicable |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 27 Weeks |
| Główny odstęp: | 1.083" (27.50mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.795" (20.20mm) |
| cechy: | - |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 17 mOhms |
| Materiał dielektryka: | Polypropylene (PP), Metallized |
| szczegółowy opis: | 3.3µF Film Capacitor 650V Polypropylene (PP), Metallized Radial |
| Pojemność: | 3.3µF |
| Aplikacje: | Automotive; DC Link, DC Filtering |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do C4AQCBU4330A1WJ
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash