C1005Y5V1A474Z jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla C1005Y5V1A474Z, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla C1005Y5V1A474Z przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup C1005Y5V1A474Z z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
C1005Y5V1A474Z
- Part Number:
- C1005Y5V1A474Z
- Producent:
- TDK Corporation
- Opis:
- CAP CER 0.47UF 10V Y5V 0402
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 21755 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 10V |
| Tolerancja: | -20%, +80% |
| Grubość (maks): | 0.022" (0.55mm) |
| Współczynnik temperaturowy: | Y5V (F) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
| Seria: | C |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0402 (1005 Metric) |
| Inne nazwy: | 445-3443-2 C1005Y5V1A474ZT C1005Y5V1A474ZT000N |
| temperatura robocza: | -30°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount, MLCC |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lead Style: | - |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | - |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 0.47µF -20%, +80% 10V Ceramic Capacitor Y5V (F) 0402 (1005 Metric) |
| Pojemność: | 0.47µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do C1005Y5V1A474Z
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash