BZT52H-C2V7,115 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BZT52H-C2V7,115, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BZT52H-C2V7,115 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BZT52H-C2V7,115 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BZT52H-C2V7,115
- Part Number:
- BZT52H-C2V7,115
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- DIODE ZENER 2.7V 375MW SOD123F
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 42279 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BZT52H-C2V7,115.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie Zenera - (nominalne) (Vz): | 2.7V |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 900mV @ 10mA |
| Tolerancja: | ±5% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOD-123F |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101 |
| Moc - Max: | 375mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SOD-123F |
| Inne nazwy: | 1727-3601-2 568-3764-2 568-3764-2-ND 934059385115 BZT52H-C2V7 T/R |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 150°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 83 Ohms |
| szczegółowy opis: | Zener Diode 2.7V 375mW ±5% Surface Mount SOD-123F |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 20µA @ 1V |
| Podstawowy numer części: | BZT52H-C2V7 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BZT52H-C2V7,115
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash