BZT52C7V5LP-7 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BZT52C7V5LP-7, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BZT52C7V5LP-7 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BZT52C7V5LP-7 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BZT52C7V5LP-7
- Part Number:
- BZT52C7V5LP-7
- Producent:
- Diodes Incorporated
- Opis:
- DIODE ZENER 7.5V 250MW 2DFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57838 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BZT52C7V5LP-7.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Izolacja: | 15 Ohm |
| Napięcie - Podział: | X1-DFN1006-2 |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Moc - Max: | 250mW |
| Polaryzacja: | 2-UFDFN |
| Inne nazwy: | BZT52C7V5LP-7-F BZT52C7V5LP-FDITR BZT52C7V5LP-FDITR-ND BZT52C7V5LP7 BZT52C7V5LPDITR |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | BZT52C7V5LP-7 |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 7.5V |
| Rozszerzony opis: | Zener Diode 250mW ±6% Surface Mount X1-DFN1006-2 |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±6% |
| Diode Configuration: | 1µA @ 5V |
| Opis: | DIODE ZENER 7.5V 250MW 2DFN |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 900mV @ 10mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BZT52C7V5LP-7
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny