BZT52-B5V1X jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BZT52-B5V1X, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BZT52-B5V1X przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BZT52-B5V1X z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BZT52-B5V1X
- Part Number:
- BZT52-B5V1X
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- DIODE ZENER 5.1V 590MW SOD123
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30798 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BZT52-B5V1X.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie Zenera - (nominalne) (Vz): | 5.1V |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 900mV @ 10mA |
| Tolerancja: | ±1.96% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOD-123 |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101 |
| Moc - Max: | 590mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SOD-123 |
| Inne nazwy: | 1727-7681-2 934071152115 BZT52-B5V1X-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancja (Max) (Zzt): | 60 Ohms |
| szczegółowy opis: | Zener Diode 5.1V 590mW ±1.96% Surface Mount SOD-123 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 2µA @ 2V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BZT52-B5V1X
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025