BUF04701AIPWR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BUF04701AIPWR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BUF04701AIPWR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BUF04701AIPWR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BUF04701AIPWR
- Part Number:
- BUF04701AIPWR
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC AMP BUFF CMOS R-R I/O 14TSSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 59215 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BUF04701AIPWR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze / podwójne (±): | 3.5 V ~ 12 V, ±1.75 V ~ 6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 14-TSSOP |
| Szybkość narastania: | 10 V/µs |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Typ wyjścia: | Rail-to-Rail |
| Inne nazwy: | 296-12162-2 BUF04701AIPWRG4 BUF04701AIPWRG4-ND |
| Liczba obwodów: | 4 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Video Amp, 4 TFT-LCD Panels: Gamma Buffer 14-TSSOP |
| Obecny - Dostawa: | 1.1mA |
| Obecny - Wyjście / Channel: | 32mA |
| Podstawowy numer części: | BUF04701 |
| Aplikacje: | TFT-LCD Panels: Gamma Buffer |
| 3dB Pasmo: | 8MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BUF04701AIPWR
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash