BU25H08-M3/A jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BU25H08-M3/A, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BU25H08-M3/A przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BU25H08-M3/A z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BU25H08-M3/A
- Part Number:
- BU25H08-M3/A
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- BRIDGE RECT 1P 800V 3.5A ISOCINK
- Wielkość zbiorów:
- 36304 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BU25H08-M3/A.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | 800V |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.05V @ 12.5A |
| Technologia: | Standard |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | isoCINK+™ BU |
| Seria: | isoCink+™ |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 4-SIP, BU |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 52 Weeks |
| Typ diody: | Single Phase |
| szczegółowy opis: | Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole isoCINK+™ BU |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 5µA @ 800V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 3.5A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BU25H08-M3/A
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash