BU1ATH5WNVX-TL jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BU1ATH5WNVX-TL, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BU1ATH5WNVX-TL przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BU1ATH5WNVX-TL z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BU1ATH5WNVX-TL
- Part Number:
- BU1ATH5WNVX-TL
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- IC REG LIN 1.05V 500MA 4SSON
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 42342 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BU1ATH5WNVX-TL.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Spadek napięcia (Max): | 0.7V @ 250mA |
| Napięcie - Wyjście (Min / Fixed): | 1.05V |
| Napięcie - Wyjście (Max): | - |
| Napięcie - wejściowa (maks): | 6V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SSON004X1010 |
| Seria: | - |
| Funkcje ochronne: | Over Current |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 4-UDFN Exposed Pad |
| PSRR: | 82dB ~ 80dB (100Hz ~ 1kHz) |
| Typ wyjścia: | Fixed |
| Konfiguracja wyjściowa: | Positive |
| Inne nazwy: | BU1ATH5WNVX-TLTR |
| temperatura robocza: | -20°C ~ 85°C |
| Ilość Regulatorów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 1.05V 500mA SSON004X1010 |
| Current - Spoczynkowy (Iq): | 20µA |
| Obecny - Wyjście: | 500mA |
| Funkcje sterowania: | Enable |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BU1ATH5WNVX-TL
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny