BTS141E3064NKSA1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BTS141E3064NKSA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BTS141E3064NKSA1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BTS141E3064NKSA1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BTS141E3064NKSA1
- Part Number:
- BTS141E3064NKSA1
- Opis:
- IC SWITCH LOSIDE PWR N-CH TO-220
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 21864 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BTS141E3064NKSA1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | Not Required |
| Napięcie - Obciążenie: | 60V (Max) |
| Typ przełącznika: | General Purpose |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TO-220-3 |
| Seria: | HITFET® |
| Rds On (Typ): | 25 mOhm |
| Ratio - Wejście: Wyjście: | 1:1 |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Typ wyjścia: | N-Channel |
| Konfiguracja wyjściowa: | Low Side |
| Inne nazwy: | BTS141 E3064 BTS141 E3064-ND BTS141E3064 BTS141E3064NK SP000011220 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Liczba wyjść: | 1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Berło: | On/Off |
| Typ wejścia: | Non-Inverting |
| cechy: | - |
| Ochrona usterek: | Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage |
| Obecny - Wyjście (Max): | 12A |
| Podstawowy numer części: | BTS141 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BTS141E3064NKSA1
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny