BR93G56FVT-3GE2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BR93G56FVT-3GE2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BR93G56FVT-3GE2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BR93G56FVT-3GE2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BR93G56FVT-3GE2
- Part Number:
- BR93G56FVT-3GE2
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- IC EEPROM 2K SPI 3MHZ 8TSSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 35589 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.BR93G56FVT-3GE2.pdf2.BR93G56FVT-3GE2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 5ms |
| Napięcie - Dostawa: | 1.7 V ~ 5.5 V |
| Technologia: | EEPROM |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-TSSOP-B |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Inne nazwy: | BR93G56FVT-3GE2TR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 2Kb (256 x 8, 128 x 16) |
| Interfejs pamięci: | SPI |
| Format pamięci: | EEPROM |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 11 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | EEPROM Memory IC 2Kb (256 x 8, 128 x 16) SPI 3MHz 8-TSSOP-B |
| Częstotliwość zegara: | 3MHz |
| Podstawowy numer części: | BR93G56 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BR93G56FVT-3GE2
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC