BR5JB50L0 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BR5JB50L0, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BR5JB50L0 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BR5JB50L0 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BR5JB50L0
- Part Number:
- BR5JB50L0
- Producent:
- Stackpole Electronics, Inc.
- Opis:
- RES 0.05 OHM 0.05 OHM 5W 5%
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 24857 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.BR5JB50L0.pdf2.BR5JB50L0.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±5% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±20ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.800" L x 0.065" W (20.32mm x 1.65mm) |
| Seria: | BR |
| Tryb panel: | 50 mOhms |
| Moc (W): | 5W |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial |
| Inne nazwy: | BR 5 .05 5% B BR5.05JB BR5.05JB-ND |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 350°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 22 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 1.000" (25.40mm) |
| cechy: | Current Sense, Flame Proof, Non-Inductive, Pulse Withstanding, Safety |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 50 mOhms ±5% 5W Through Hole Resistor Radial Current Sense, Flame Proof, Non-Inductive, Pulse Withstanding, Safety Metal Foil |
| Kompozycja: | Metal Foil |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BR5JB50L0
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny