BQ25703ARSNR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BQ25703ARSNR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BQ25703ARSNR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BQ25703ARSNR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BQ25703ARSNR
- Part Number:
- BQ25703ARSNR
- Producent:
- TI
- Opis:
- BQ25703ARSNR
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40990 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BQ25703ARSNR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 32-QFN (4x4) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 32-WFQFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 296-47649-1 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Ilość ogniw: | 1 ~ 4 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | I²C |
| Funkcjonować: | Battery Monitor |
| Ochrona usterek: | Over Current, Over Temperature, Over Voltage |
| szczegółowy opis: | Battery Battery Monitor IC Multi-Chemistry 32-QFN (4x4) |
| Chemia baterii: | Multi-Chemistry |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BQ25703ARSNR
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny