BQ24650RVAT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BQ24650RVAT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BQ24650RVAT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BQ24650RVAT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BQ24650RVAT
- Part Number:
- BQ24650RVAT
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC SYNC SW-MODE BAT CHRGR 16VQFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 56744 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BQ24650RVAT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie (maks.): | 28V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-VQFN (3.5x3.5) |
| Seria: | - |
| Funkcje programowalne: | Current |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 16-VFQFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 296-27699-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Ilość ogniw: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | - |
| Ochrona usterek: | Over Temperature, Over Voltage |
| szczegółowy opis: | Charger IC Multi-Chemistry 16-VQFN (3.5x3.5) |
| Prąd - ładowanie: | - |
| Prąd ładowania - Max: | - |
| Napięcie akumulatora: | - |
| Chemia baterii: | Multi-Chemistry |
| Podstawowy numer części: | BQ24650 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BQ24650RVAT
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash