BQ2005S jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BQ2005S, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BQ2005S przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BQ2005S z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BQ2005S
- Part Number:
- BQ2005S
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC CNTROLR FASTCHRGE 20-SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57926 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BQ2005S.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie (maks.): | 5.5V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 20-SOIC |
| Seria: | - |
| Funkcje programowalne: | Timer, Voltage |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Inne nazwy: | 296-9338-5 |
| temperatura robocza: | -20°C ~ 70°C (TA) |
| Ilość ogniw: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | - |
| Ochrona usterek: | - |
| szczegółowy opis: | Charger IC Multi-Chemistry 20-SOIC |
| Prąd - ładowanie: | Constant, Pulsed |
| Prąd ładowania - Max: | - |
| Napięcie akumulatora: | - |
| Chemia baterii: | Multi-Chemistry |
| Podstawowy numer części: | BQ2005 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BQ2005S
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny