BLM18KG601BH1D jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BLM18KG601BH1D, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BLM18KG601BH1D przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BLM18KG601BH1D z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BLM18KG601BH1D
- Part Number:
- BLM18KG601BH1D
- Producent:
- Murata Electronics
- Opis:
- FERRITE BEAD 600 OHM 0603 1 LN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 48993 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.80mm) |
| Seria: | EMIFIL®, BLM18 |
| oceny: | AEC-Q200 |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0603 (1608 Metric) |
| Inne nazwy: | 490-14032-2 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C |
| Liczba linii: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 7 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancja @ Częstotliwość: | 600 Ohms @ 100MHz |
| Wysokość (max): | 0.037" (0.95mm) |
| Rodzaj filtra: | Power Line |
| Oporność DC (DCR) (maks.): | 150 mOhm |
| Karta Grubość (mm): | 1A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BLM18KG601BH1D
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025