BLD6G22L-50,112 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BLD6G22L-50,112, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BLD6G22L-50,112 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BLD6G22L-50,112 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BLD6G22L-50,112
- Part Number:
- BLD6G22L-50,112
- Producent:
- Ampleon
- Opis:
- RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130A
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 39563 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BLD6G22L-50,112.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 28V |
| Napięcie - znamionowe: | 65V |
| Typ tranzystora: | LDMOS (Dual), Common Source |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | CDFM4 |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | 8W |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | SOT-1130A |
| Inne nazwy: | 568-8632 568-8632-5 568-8632-ND 934063511112 BLD6G22L-50,112-ND BLD6G22L50112 |
| noise Figure: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 14dB |
| Częstotliwość: | 2.14GHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 170mA 2.14GHz 14dB 8W CDFM4 |
| Aktualna ocena: | 10.2A |
| Obecny - Test: | 170mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BLD6G22L-50,112
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash