BF998R,235 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BF998R,235, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BF998R,235 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BF998R,235 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BF998R,235
- Part Number:
- BF998R,235
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40384 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BF998R,235.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 8V |
| Napięcie - znamionowe: | 12V |
| Typ tranzystora: | N-Channel Dual Gate |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-143R |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SOT-143R |
| Inne nazwy: | 934002660235 |
| noise Figure: | 0.6dB |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | - |
| Częstotliwość: | 200MHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet N-Channel Dual Gate 8V 10mA 200MHz SOT-143R |
| Aktualna ocena: | 30mA |
| Obecny - Test: | 10mA |
| Podstawowy numer części: | BF998 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BF998R,235
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny