BF1109WR,115 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BF1109WR,115, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BF1109WR,115 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BF1109WR,115 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BF1109WR,115
- Part Number:
- BF1109WR,115
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- MOSFET N-CH 11V 30MA CMPAK-4
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 31020 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BF1109WR,115.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 9V |
| Napięcie - znamionowe: | 11V |
| Typ tranzystora: | N-Channel Dual Gate |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | CMPAK-4 |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SC-82A, SOT-343 |
| Inne nazwy: | 934050280115 BF1109WR T/R BF1109WR T/R-ND |
| noise Figure: | 1.5dB |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 20dB |
| Częstotliwość: | 800MHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet N-Channel Dual Gate 9V 800MHz 20dB CMPAK-4 |
| Aktualna ocena: | 30mA |
| Podstawowy numer części: | BF1109 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BF1109WR,115
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC