BD9G201EFJ-ME2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BD9G201EFJ-ME2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BD9G201EFJ-ME2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BD9G201EFJ-ME2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BD9G201EFJ-ME2
- Part Number:
- BD9G201EFJ-ME2
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- AUTOMOTIVEINTEGRATED FETBUCKNONS
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 53507 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BD9G201EFJ-ME2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście (Min / Fixed): | 0.8V |
| Napięcie - Wyjście (Max): | 42V |
| Napięcie - Wejście (Min): | 4.5V |
| Napięcie - wejściowa (maks): | 42V |
| topologia: | Buck |
| synchroniczny prostownik: | No |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-HTSOP-J |
| Seria: | Automotive, AEC-Q100 |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Typ wyjścia: | Adjustable |
| Konfiguracja wyjściowa: | Positive |
| Inne nazwy: | BD9G201EFJ-ME2TR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Liczba wyjść: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Step-Down |
| Częstotliwość - Przełączanie: | 500kHz |
| szczegółowy opis: | Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 1.5A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Obecny - Wyjście: | 1.5A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BD9G201EFJ-ME2
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC