BD9251FV-E2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BD9251FV-E2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BD9251FV-E2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BD9251FV-E2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BD9251FV-E2
- Part Number:
- BD9251FV-E2
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- IC PREAMP HBD PIR SENSOR 14-SSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40027 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.BD9251FV-E2.pdf2.BD9251FV-E2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Preamplifier |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 14-SSOPB |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 14-LSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Typ wyjścia: | Voltage |
| Inne nazwy: | BD9251FV-BZE2 BD9251FV-E2TR BD9251FVE2 |
| temperatura robocza: | -30°C ~ 75°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | - |
| Typ wejścia: | Voltage |
| Obecny - Dostawa: | 300µA |
| Podstawowy numer części: | BD9251 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BD9251FV-E2
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny