BCR562E6327HTSA1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BCR562E6327HTSA1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BCR562E6327HTSA1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BCR562E6327HTSA1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BCR562E6327HTSA1
- Part Number:
- BCR562E6327HTSA1
- Opis:
- TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55081 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BCR562E6327HTSA1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 50V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Typ tranzystora: | PNP - Pre-Biased |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-23-3 |
| Seria: | - |
| Rezystor - podstawa nadajnika (R2): | 4.7 kOhms |
| Rezystor - Podstawa (R1): | 4.7 kOhms |
| Moc - Max: | 330mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Inne nazwy: | BCR 562 E6327 BCR 562 E6327-ND BCR 562 E6327TR-ND BCR562E6327 BCR562E6327BTSA1 BCR562E6327HTSA1TR BCR562E6327XT SP000010859 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość - Transition: | 150MHz |
| szczegółowy opis: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 150MHz 330mW Surface Mount SOT-23-3 |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 60 @ 50mA, 5V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 100nA (ICBO) |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 500mA |
| Podstawowy numer części: | BCR562 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BCR562E6327HTSA1
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025