BAW56W,115 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BAW56W,115, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BAW56W,115 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BAW56W,115 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BAW56W,115
- Part Number:
- BAW56W,115
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- DIODE ARRAY GP 90V 150MA SOT323
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 46093 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BAW56W,115.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Standard |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 1 Pair Common Anode |
| Napięcie - Podział: | SOT-323-3 |
| Prędkość: | 150mA (DC) |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Polaryzacja: | SC-70, SOT-323 |
| Inne nazwy: | 1727-4834-2 568-6034-2 568-6034-2-ND 934026020115 BAW56W T/R BAW56W T/R-ND BAW56W,115-ND |
| Temperatura pracy - złącze: | 4ns |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Numer części producenta: | BAW56W,115 |
| Rozszerzony opis: | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 90V 150mA (DC) Surface Mount SC-70, SOT-323 |
| Diode Configuration: | 500nA @ 80V |
| Opis: | DIODE ARRAY GP 90V 150MA SOT323 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1.25V @ 150mA |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 90V |
| Pojemność @ VR F: | 150°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BAW56W,115
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC