BAT41JFILM jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BAT41JFILM, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BAT41JFILM przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BAT41JFILM z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BAT41JFILM
- Part Number:
- BAT41JFILM
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 100V 200MA SOD323
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 47556 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BAT41JFILM.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Schottky |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 200mA (DC) |
| Napięcie - Podział: | SOD-323 |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Odporność @ Jeżeli F: | 10pF @ 1V, 1MHz |
| Polaryzacja: | SC-76, SOD-323 |
| Inne nazwy: | 497-5704-2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | BAT41JFILM |
| Rozszerzony opis: | Diode Schottky 100V 200mA (DC) Surface Mount SOD-323 |
| Diode Configuration: | 100nA @ 50V |
| Opis: | DIODE SCHOTTKY 100V 200MA SOD323 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1V @ 200mA |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 100V |
| Pojemność @ VR F: | 150°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BAT41JFILM
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia