BAT 68-08S E6327 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BAT 68-08S E6327, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BAT 68-08S E6327 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BAT 68-08S E6327 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BAT 68-08S E6327
- Part Number:
- BAT 68-08S E6327
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 8V 130MA SOT-363
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 35505 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BAT 68-08S E6327.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | 8V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PG-SOT363-6 |
| Seria: | - |
| Odporność @ Jeżeli F: | 10 Ohm @ 5mA, 10kHz |
| Strata mocy (max): | 150mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Inne nazwy: | BAT 68-08S E6327-ND BAT68-08SE6327 BAT6808SE6327XT SP000012460 |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Schottky - 3 Independent |
| szczegółowy opis: | RF Diode Schottky - 3 Independent 8V 130mA 150mW PG-SOT363-6 |
| Obecny - Max: | 130mA |
| Pojemność @ VR F: | 1pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BAT 68-08S E6327
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC