BAS56,215 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BAS56,215, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BAS56,215 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BAS56,215 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BAS56,215
- Part Number:
- BAS56,215
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- DIODE ARRAY GP 60V 200MA SOT143B
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 46440 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BAS56,215.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1V @ 200mA |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 60V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-143B |
| Prędkość: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 6ns |
| Opakowania: | Original-Reel® |
| Package / Case: | TO-253-4, TO-253AA |
| Inne nazwy: | 1727-2894-6 568-1604-6 568-1604-6-ND |
| Temperatura pracy - złącze: | 150°C (Max) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Standard |
| Diode Configuration: | 2 Independent |
| szczegółowy opis: | Diode Array 2 Independent Standard 60V 200mA (DC) Surface Mount TO-253-4, TO-253AA |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 100nA @ 120V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 200mA (DC) |
| Podstawowy numer części: | BAS56 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BAS56,215
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash