BAS16-E3-08 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BAS16-E3-08, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BAS16-E3-08 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BAS16-E3-08 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BAS16-E3-08
- Part Number:
- BAS16-E3-08
- Producent:
- Opis:
- DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 59124 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BAS16-E3-08.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Standard |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 150mA |
| Napięcie - Podział: | SOT-23 |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Odporność @ Jeżeli F: | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Polaryzacja: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Inne nazwy: | BAS16-E3-08TR BAS16-V-GS08 BAS16-V-GS08-ND BAS16-V-GS08TR BAS16-V-GS08TR-ND BAS16VGS08 |
| Temperatura pracy - złącze: | 6ns |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Numer części producenta: | BAS16-E3-08 |
| Rozszerzony opis: | Diode Standard 75V 150mA Surface Mount SOT-23 |
| Diode Configuration: | 1µA @ 75V |
| Opis: | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 1.25V @ 150mA |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 75V |
| Pojemność @ VR F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BAS16-E3-08
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny