BAS 3010S-02LRH E6327 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla BAS 3010S-02LRH E6327, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla BAS 3010S-02LRH E6327 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup BAS 3010S-02LRH E6327 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
BAS 3010S-02LRH E6327
- Part Number:
- BAS 3010S-02LRH E6327
- Opis:
- DIODE SCHOTTKY 30V 1A TSLP-2
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 38287 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- BAS 3010S-02LRH E6327.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Szczyt Rewers (Max): | Schottky |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1A |
| Napięcie - Podział: | PG-TSLP-2 |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Odporność @ Jeżeli F: | 15pF @ 5V, 1MHz |
| Polaryzacja: | SOD-882 |
| Inne nazwy: | BAS 3010S-02LRH E6327-ND BAS3010S02LRHE6327 BAS3010S02LRHE6327XTSA1 SP000472480 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Numer części producenta: | BAS 3010S-02LRH E6327 |
| Rozszerzony opis: | Diode Schottky 30V 1A Surface Mount PG-TSLP-2 |
| Diode Configuration: | 300µA @ 30V |
| Opis: | DIODE SCHOTTKY 30V 1A TSLP-2 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 650mV @ 1A |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode): | 30V |
| Pojemność @ VR F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do BAS 3010S-02LRH E6327
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash