B78108S1273K000 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla B78108S1273K000, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla B78108S1273K000 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup B78108S1273K000 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
B78108S1273K000
- Part Number:
- B78108S1273K000
- Producent:
- EPCOS
- Opis:
- FIXED IND 27UH 530MA 830 MOHM TH
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 24782 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- B78108S1273K000.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Tolerancja: | ±10% |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | Axial |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.157" Dia x 0.362" L (4.00mm x 9.20mm) |
| Zastawianie: | Unshielded |
| Seria: | BC |
| oceny: | - |
| P @ Częstotliwość: | 55 @ 2.52MHz |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | Axial |
| Inne nazwy: | B78108S1273K B78108S1273K-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Materiał - Rdzeń: | Ferrite |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 26 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość indukcyjności - test: | 2.52MHz |
| Indukcyjność: | 27µH |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 10MHz |
| szczegółowy opis: | 27µH Unshielded Wirewound Inductor 530mA 830 mOhm Max Axial |
| DC Resistance (DCR): | 830 mOhm Max |
| Aktualna ocena: | 530mA |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do B78108S1273K000
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC