B57211V2472J60 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla B57211V2472J60, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla B57211V2472J60 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup B57211V2472J60 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
B57211V2472J60
- Part Number:
- B57211V2472J60
- Producent:
- EPCOS
- Opis:
- THERM NTC 4.7KOHM 3500K 0402
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41720 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- B57211V2472J60.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Seria: | - |
| Odporność na Ohm @ 25 ° C: | 4.7k |
| Tolerancja rezystancji: | ±5% |
| Moc - Max: | 150mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0402 (1005 Metric) |
| Inne nazwy: | B57211V2472J 60 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Długość - Drut Ołowiany: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | NTC Thermistor 4.7k 0402 (1005 Metric) |
| B25 / 85: | 3540K |
| B25 / 75: | - |
| B25 / 50: | 3500K |
| B25 / 100: | 3550K |
| B0 / 50: | - |
| B Wartość Tolerancja: | ±3% |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do B57211V2472J60
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC