B57025M2103A001 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla B57025M2103A001, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla B57025M2103A001 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup B57025M2103A001 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
B57025M2103A001
- Part Number:
- B57025M2103A001
- Producent:
- EPCOS
- Opis:
- THERM NTC 10KOHM 3980K NONSTND
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 49397 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- B57025M2103A001.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Seria: | - |
| Odporność na Ohm @ 25 ° C: | 10k |
| Tolerancja rezystancji: | ±2% |
| Moc - Max: | 150mW |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Nonstandard |
| Inne nazwy: | 495-76006 B57025M2103A 1 B57025M2103A1 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 80°C |
| Rodzaj mocowania: | Free Hanging |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 22 Weeks |
| Długość - Drut Ołowiany: | 44.88" (1.14m) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | NTC Thermistor 10k Nonstandard |
| B25 / 85: | - |
| B25 / 75: | - |
| B25 / 50: | - |
| B25 / 100: | 3980K |
| B0 / 50: | - |
| B Wartość Tolerancja: | ±1.5% |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do B57025M2103A001
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe