B4860NSN7QUMD jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla B4860NSN7QUMD, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla B4860NSN7QUMD przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup B4860NSN7QUMD z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
B4860NSN7QUMD
- Part Number:
- B4860NSN7QUMD
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- BASEBAND PROC PILOT REV 1.0
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52413 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- B4860NSN7QUMD.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - I / O: | 1.0V, 1.2V, 1.35V, 1.5V, 1.8V, 2.5V |
| USB: | USB 2.0 (1) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 1020-FCPBGA (33x33) |
| Prędkość: | 1.8GHz |
| Seria: | QorIQ Qonverge B |
| Funkcjonalność związana z bezpieczeństwem: | AES, DES, 3DES, HMAC, Ipsec, Kasumi, MD5, SHA-1/2, SNOW-3D, ZUC |
| SATA: | - |
| Kontrolery pamięci RAM: | DDR3, DDR3L |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 1020-BBGA, FCBGA |
| Inne nazwy: | 935318097557 |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 105°C (TA) |
| Liczba szerokości rdzeni / magistrali: | 4 Core, 64-Bit |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Akceleracja grafiki: | No |
| Ethernet: | 1/2.5 Gbps (4), 1/2.5/10 Gbps (2) |
| Kontrolery wyświetlania i interfejsu: | - |
| szczegółowy opis: | PowerPC e6500 Microprocessor IC QorIQ Qonverge B 4 Core, 64-Bit 1.8GHz 1020-FCPBGA (33x33) |
| Core Processor: | PowerPC e6500 |
| Współtwórcy / DSP: | Signal Processing; SC3900FP FVP - 6 Core |
| Dodatkowe interfejsy: | I²C, MMC/SD, RapidIO, SPI, UART |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do B4860NSN7QUMD
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC