B32913A4104M000 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla B32913A4104M000, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla B32913A4104M000 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup B32913A4104M000 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
B32913A4104M000
- Part Number:
- B32913A4104M000
- Producent:
- EPCOS
- Opis:
- CAP FILM 0.1UF 20% 440VAC RADIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 39847 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- B32913A4104M000.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | - |
| Napięcie znamionowe - AC: | 440V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Zakończenie: | PC Pins |
| Seria: | B32913 |
| oceny: | X1 |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial |
| Inne nazwy: | 495-3984 B32913A4104M |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 110°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Główny odstęp: | 0.886" (22.50mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | - |
| Materiał dielektryka: | Polypropylene (PP), Metallized |
| szczegółowy opis: | 0.1µF Film Capacitor 440V Polypropylene (PP), Metallized Radial |
| Pojemność: | 0.1µF |
| Aplikacje: | EMI, RFI Suppression |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do B32913A4104M000
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC