B32522C0685K000 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla B32522C0685K000, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla B32522C0685K000 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup B32522C0685K000 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
B32522C0685K000
- Part Number:
- B32522C0685K000
- Producent:
- EPCOS
- Opis:
- CAP FILM 6.8UF 10% 63VDC RADIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 39867 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- B32522C0685K000.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | 63V |
| Napięcie znamionowe - AC: | 40V |
| Tolerancja: | ±10% |
| Zakończenie: | PC Pins |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.709" L x 0.335" W (18.00mm x 8.50mm) |
| Seria: | B32522 |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial |
| Inne nazwy: | 495-4091 B32522C 685K B32522C0685K B32522C685K |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 42 Weeks |
| Główny odstęp: | 0.591" (15.00mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.571" (14.50mm) |
| cechy: | - |
| Materiał dielektryka: | Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked |
| szczegółowy opis: | 6.8µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial |
| Pojemność: | 6.8µF |
| Aplikacje: | Automotive; EMI, RFI Suppression |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do B32522C0685K000
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash