B25834L7685K9 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla B25834L7685K9, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla B25834L7685K9 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup B25834L7685K9 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
B25834L7685K9
- Part Number:
- B25834L7685K9
- Producent:
- EPCOS
- Opis:
- CAP FILM 6.8UF 10% 1.1KVAC SCREW
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 24679 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- B25834L7685K9.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | - |
| Napięcie znamionowe - AC: | 1100V (1.1kV) |
| Tolerancja: | ±10% |
| Zakończenie: | Quick Connect - 0.250" (6.3mm) |
| Rozmiar / Wymiar: | 1.969" Dia (50.00mm) |
| Seria: | B25834 |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial, Can |
| Inne nazwy: | B25834L7685K 9 B25834L7685K009 |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Chassis, Stud Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Główny odstęp: | 1.378" (35.00mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 6.142" (156.00mm) |
| cechy: | - |
| Materiał dielektryka: | Polypropylene (PP), Metallized |
| szczegółowy opis: | 6.8µF Film Capacitor 1100V (1.1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial, Can |
| Pojemność: | 6.8µF |
| Aplikacje: | Commutating; Damping |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do B25834L7685K9
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash