ATSAM4S16BA-AN jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ATSAM4S16BA-AN, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ATSAM4S16BA-AN przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ATSAM4S16BA-AN z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ATSAM4S16BA-AN
- Part Number:
- ATSAM4S16BA-AN
- Producent:
- Micrel / Microchip Technology
- Opis:
- IC MCU 32BIT 1MB FLASH 64LQFP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 54122 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ATSAM4S16BA-AN.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | FLASH |
| Seria: | SAM4S |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 120MHz |
| wymaga: | Brown-out Detect/Reset, DMA, POR, PWM, WDT |
| Typ pamięci programu: | 1MB (1M x 8) |
| Rozmiar pamięci programu: | I²C, IrDA, Memory Card, SPI, SSC, UART/USART, USB |
| Inne nazwy: | 1611-ATSAM4S16BA-AN |
| Typ oscylatora: | A/D 11x12b, D/A 2x12b |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| System operacyjny: | ARM® Cortex®-M4 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Numer części producenta: | ATSAM4S16BA-AN |
| Rozszerzony opis: | ARM® Cortex®-M4 SAM4S Microcontroller IC 32-Bit 120MHz 1MB (1M x 8) FLASH |
| Opis: | IC MCU 32BIT 1MB FLASH 64LQFP |
| Bajty danych SRAM: | - |
| Konwertery danych: | 1.62 V ~ 3.6 V |
| rdzeń Rozmiar: | 128K x 8 |
| Seria regulatorów: | Internal |
| Łączność: | 32-Bit |
| Częstotliwość zegara: | 47 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ATSAM4S16BA-AN
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny