ATF-531P8-TR1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ATF-531P8-TR1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ATF-531P8-TR1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ATF-531P8-TR1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ATF-531P8-TR1
- Part Number:
- ATF-531P8-TR1
- Producent:
- Avago Technologies (Broadcom Limited)
- Opis:
- FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 43786 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ATF-531P8-TR1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 4V |
| Napięcie - znamionowe: | 7V |
| Typ tranzystora: | E-pHEMT |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-LPCC (2x2) |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | 24.5dBm |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 8-WFDFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 516-2239-1 |
| noise Figure: | 0.6dB |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 20dB |
| Częstotliwość: | 2GHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet E-pHEMT 4V 135mA 2GHz 20dB 24.5dBm 8-LPCC (2x2) |
| Aktualna ocena: | 300mA |
| Obecny - Test: | 135mA |
| Podstawowy numer części: | ATF-531P8 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ATF-531P8-TR1
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC