AT45DB161B-RI jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla AT45DB161B-RI, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla AT45DB161B-RI przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup AT45DB161B-RI z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
AT45DB161B-RI
- Part Number:
- AT45DB161B-RI
- Producent:
- Micrel / Microchip Technology
- Opis:
- IC FLASH 16M SPI 20MHZ 28SOIC
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 32390 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- AT45DB161B-RI.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 14ms |
| Napięcie - Dostawa: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Technologia: | FLASH |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 28-SOIC |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width) |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Typ pamięci: | Non-Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 16Mb (528 Bytes x 4096 pages) |
| Interfejs pamięci: | SPI |
| Format pamięci: | FLASH |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | FLASH Memory IC 16Mb (528 Bytes x 4096 pages) SPI 20MHz 28-SOIC |
| Częstotliwość zegara: | 20MHz |
| Podstawowy numer części: | AT45DB161 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do AT45DB161B-RI
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny