AT40K10-2DQU jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla AT40K10-2DQU, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla AT40K10-2DQU przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup AT40K10-2DQU z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
AT40K10-2DQU
- Part Number:
- AT40K10-2DQU
- Producent:
- Micrel / Microchip Technology
- Opis:
- IC FPGA 161 I/O 208QFP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 28477 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.AT40K10-2DQU.pdf2.AT40K10-2DQU.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Wszystkich RAM Bity: | 4608 |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 208-PQFP (28x28) |
| Seria: | AT40K/KLV |
| Package / Case: | 208-BFQFP |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Ilość Logic Elements / Komórki: | 576 |
| Liczba I / O: | 161 |
| Ilość Gates: | 20000 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Podstawowy numer części: | AT40K10 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do AT40K10-2DQU
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny