ASTMTXK-32.768KHZ-NY-T3 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ASTMTXK-32.768KHZ-NY-T3, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ASTMTXK-32.768KHZ-NY-T3 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ASTMTXK-32.768KHZ-NY-T3 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ASTMTXK-32.768KHZ-NY-T3
- Part Number:
- ASTMTXK-32.768KHZ-NY-T3
- Producent:
- Abracon Corporation
- Opis:
- OSC TCXO 32.768KHZ MEMS SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 31125 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ASTMTXK-32.768KHZ-NY-T3.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.5 V ~ 3.63 V |
| Rodzaj: | XO (Standard) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.061" L x 0.033" W (1.54mm x 0.84mm) |
| Seria: | ASTMTXK |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 4-UFBGA, CSPBGA |
| Wydajność: | LVCMOS |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 11 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.024" (0.60mm) |
| Funkcjonować: | - |
| Stabilność częstotliwości: | ±10ppm |
| Częstotliwość: | 32.768kHz |
| szczegółowy opis: | 32.768kHz XO (Standard) LVCMOS Oscillator 1.5 V ~ 3.63 V 4-UFBGA, CSPBGA |
| Obecny - Dostawa (Max): | 0.99µA (Typ) |
| Obecny - Dostawa (Wyłącz) (maks): | - |
| Rezonator bazowy: | MEMS |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ASTMTXK-32.768KHZ-NY-T3
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny